首頁 > SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產(chǎn)業(yè)界首款 HBM3 之后，公司又成功開發(fā)出了內(nèi)存容量比前一代產(chǎn)品增加 50% 的 24GB 封裝產(chǎn)品。我們將在下半年向市場供應(yīng)新產(chǎn)品，以滿足由 AI 聊天機(jī)器人行業(yè)帶動的高端內(nèi)存產(chǎn)品的需求。”
SK 海力士的工程師通過應(yīng)用先進(jìn)的批量回流模壓填充（MR-MUF） 技術(shù)，提高了新產(chǎn)品的工藝效率和性能穩(wěn)定性，同時(shí)通過硅通孔（TSV） 技術(shù)，將單個(gè) DRAM 芯片的厚度降低了 40%，達(dá)到了與 16GB 產(chǎn)品相同的堆疊高度水平。
HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發(fā)出來的一種內(nèi)存，由于它在實(shí)現(xiàn)運(yùn)行在高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng)中的生成型 AI 中起著至關(guān)重要的作用，因此受到了內(nèi)存芯片行業(yè)的廣泛關(guān)注。最新的 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)尤其被認(rèn)為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產(chǎn)品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。
SK 海力士已經(jīng)向多個(gè)對最新產(chǎn)品表達(dá)了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產(chǎn)品的樣品，同時(shí)該產(chǎn)品的性能評估也在進(jìn)行中。
“SK 海力士之所以能夠不斷開發(fā)出一系列超高速和高容量的 HBM 產(chǎn)品，是因?yàn)樗诤蠖斯に囍羞\(yùn)用了領(lǐng)先的技術(shù)，”SK 海力士封裝測試部門負(fù)責(zé)人洪相厚說，“公司計(jì)劃在今年上半年完成新產(chǎn)品的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，以進(jìn)一步鞏固其在 AI 時(shí)代尖端 DRAM 市場中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
注：HBM（High Bandwidth Memory）是一種高價(jià)值、高性能的內(nèi)存，通過垂直連接多個(gè) DRAM 芯片，與傳統(tǒng)的 DRAM 產(chǎn)品相比，大幅提高了數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開發(fā)。現(xiàn)有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆疊 8 個(gè)單品 DRAM 芯片的 16GB。
