一是調(diào)制。從太赫茲信號(hào)調(diào)制來(lái)講有幾種不同的辦法：調(diào)制放在低頻段，通過(guò)上變頻方式搬移到太赫茲頻段，這種方法相對(duì)技術(shù)比較成熟，但存在效率和帶寬問(wèn)題。放在成熟的光頻段，通過(guò)下變頻方式搬移到太赫茲頻段，帶寬大，但效率低，影響通信傳輸距離。此外還可以采用不變頻的方式，這就需要新的架構(gòu)、新的器件。

　　陳智指出，太赫茲器件在各個(gè)方面都取得快速進(jìn)展，近十年時(shí)間太赫茲頻段各個(gè)器件，包括混頻器、倍頻器、功放，甚至天線(xiàn)，進(jìn)展速度非�？�。這里出現(xiàn)比較多的工藝，包括CMOS、氮化鎵工藝在太赫茲頻段都發(fā)揮了不同作用，甚至還會(huì)出現(xiàn)不同工藝通過(guò)異質(zhì)集成，最大化發(fā)揮工藝本身所擁有一些特點(diǎn)，這些都有可能在太赫茲通信系統(tǒng)里出現(xiàn)。

　　二是天線(xiàn)。6G必須要解決太赫茲頻段相控陣天線(xiàn)問(wèn)題，在這方面目前也有很多進(jìn)展，總體來(lái)看，由于太赫茲頻段很高，波長(zhǎng)很短，相控陣天線(xiàn)存在挑戰(zhàn)。目前太赫茲頻段相控陣工藝主要集中在CMOS，是有源相控陣，此外還有無(wú)源相控陣路線(xiàn)。

　　三是信道。國(guó)內(nèi)外已經(jīng)開(kāi)展了較多研究，比如采用射線(xiàn)追蹤確定性信道建模，比較適合太赫茲高頻定向傳輸特點(diǎn)，但是測(cè)量過(guò)程中還會(huì)有一些散射存在，必須要考慮一些統(tǒng)計(jì)方法。由于器件支持問(wèn)題，目前低頻居多，在300GHz以上相對(duì)比較少。

　　最后在設(shè)備原型方面，電子科技大學(xué)去年進(jìn)行了一批國(guó)內(nèi)系統(tǒng)測(cè)試，也拿到了很多結(jié)果，包括國(guó)內(nèi)外很多單位已經(jīng)研制出相對(duì)成熟的太赫茲頻段的測(cè)試原型，頻段覆蓋范圍比較寬，傳輸速率達(dá)到了百Gbps，距離達(dá)到公里級(jí)水平。

　　陳智透露，中國(guó)在6G推進(jìn)組太赫茲任務(wù)組做了很多跟標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)相關(guān)工作，也出了相關(guān)的白皮書(shū)研究其愿景，進(jìn)行相應(yīng)測(cè)試原型的評(píng)估，甚至也進(jìn)行了包括器件和信道方面專(zhuān)項(xiàng)的工作。我們希望通過(guò)努力，促進(jìn)面向6G以及6G以后太赫茲通信器件和系統(tǒng)的快速發(fā)展。