首頁(yè) > 據(jù)Tech Insights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的X3-9070已經(jīng)量產(chǎn)了，除了用于致態(tài)TiPlus7100系列SSD，還被用在�？低暤腃C700 2TB SSD上，這是首個(gè)進(jìn)入零售市場(chǎng)的200+層3D NAND閃存解決方案，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商。
據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，X3-9070的I/O傳輸速率達(dá)到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0規(guī)范，相比上一代產(chǎn)品提高了50%的性能；得益于晶棧3.0架構(gòu)，X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)有史以來存儲(chǔ)密度最高的閃存顆粒，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb（128GB）的存儲(chǔ)容量；采用6-plane設(shè)計(jì)，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。
作為存儲(chǔ)大廠，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+層的3D NAND閃存解決方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出業(yè)界首款232層的3D TLC NAND閃存，稱準(zhǔn)備在2022年末開始生產(chǎn)，其采用了CuA架構(gòu)，使用NAND的字符串堆疊技術(shù)，初始容量為1Tb（128GB）。
到了8月，SK海力士宣布已成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存，并已經(jīng)向合作伙伴發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品。
三星在上個(gè)月宣布，已開始批量生產(chǎn)采用第8代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達(dá)到了236層。
