目前臺(tái)積電、三星已經(jīng)處在3nm階段，而英特爾還處在7nm階段，不過按照計(jì)劃，到2025年，這三大晶圓廠，都將進(jìn)入2nm。

　　當(dāng)然，這些都不重要，重要的是2nm工藝，或是三星、intel、臺(tái)積電三家的拐點(diǎn)之戰(zhàn)。

　　三星作為代工領(lǐng)域的千年老二，被臺(tái)積電壓了好多年，一直想報(bào)仇雪恨，翻身當(dāng)老大。為此三星在7nm、5nm、4nm、3nm上就一直發(fā)力，想要領(lǐng)先臺(tái)積電。

　　在3nm時(shí)，更是率先使用GAAFET晶體管技術(shù)，率先量產(chǎn)了3nm，想要壓臺(tái)積電一頭，不過可惜實(shí)力還是差了點(diǎn)點(diǎn)，所以在3nm時(shí)，還無法逆襲，但在2nm時(shí)，如果三星工藝好，良率高，還是非常有機(jī)會(huì)的。

　　至于intel，在工藝上被三星、臺(tái)積電壓了很多年后，也決定發(fā)展代工業(yè)，并拋出了一個(gè)“IDM 2.0”戰(zhàn)略，在該戰(zhàn)略中，英特爾對(duì)外開放自己的代工服務(wù)，同時(shí)擴(kuò)大采用第三方代工產(chǎn)能。

　　既然要對(duì)外代工了，那工藝就是最重要的生產(chǎn)力，于是intel計(jì)劃最快的速度追上臺(tái)積電、三星，要到2025年就實(shí)現(xiàn)2nm，甚至是1.8nm，與臺(tái)積電、三星PK，搶市場(chǎng)。

　　至于臺(tái)積電，當(dāng)了這么多年的老大，更加不愿意被其它廠商逆襲了，所以在2nm時(shí)，臺(tái)積電也計(jì)劃使用GAAFET晶體管技術(shù)，替代掉老掉牙的FinFET晶體管技術(shù)。

　　同時(shí)為了拉攏美國(guó)廠商，更是不惜將5nm、3nm工藝都要部分遷到美國(guó)，為的就是自己的地位鞏固，不至于被其它廠商搶了市場(chǎng)。

　　但很明顯，這三大廠商目前在2nm上，都是在較勁，誰能夠在2nm上脫穎而出，那么非常有可能在2nm時(shí)占據(jù)先機(jī)，爭(zhēng)得一席之地，所以2nm非常有可能是這三大廠商的拐點(diǎn)之戰(zhàn)，如果三星、intel表現(xiàn)突出，臺(tái)積電的地垃堪優(yōu)。

　　當(dāng)然，最為可惜的是，這三大巨頭在2nm上較勁，而我們的中芯、華虹沒資格參戰(zhàn)啊。中芯還在14nm，限于當(dāng)前的禁令，進(jìn)入10nm都不知道猴年馬月，別說2nm了，

　　而華虹公開的工藝還在55nm+，連40nm都沒進(jìn)入，離進(jìn)入10nm更是十萬八千里，2nm就更加別想了，只能搬根凳子看戲。

　　不知道大陸的晶圓廠，何時(shí)能夠與這三大巨頭比一比工藝，那就真的完美了。